垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术

作     者：黄亚军 刘志强 伊晓燕 王良臣 王军喜 李晋闽 Huang Yajun;Liu Zhiqiang;Yi Xiaoyan;Wang Liangehen;Wang Junxi;Li Jinmin

作者机构：中科院半导体所照明研发中心北京100083 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第3期

页      码：206-209页

摘      要：为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注。由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输。对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通过侧壁倾斜角度的优化得以提升。实验结果表明,特定侧壁倾角器件的提取效率相比较垂直侧壁提高了18.75%,电致发光光谱测试(EL)结果表明,实验结论与理论计算值基本吻合。本结论对垂直结构GaN基LED器件的优化设计与性能提升有重要指导意义。

主 题 词：GaN 垂直结构LED 提取效率 双层掩膜 刻蚀 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2011.03.007

馆 藏 号：203263032...