动态应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响

作     者：刘琨 朱慧 冯士维 石磊 张亚民 郭春生 Liu Kun;Zhu Hui;Feng Shiwei;Shi Lei;Zhang Yamin;Guo Chunsheng

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 

基　　金：国家自然科学基金(61201046 61376077) 北京市自然科学基金资助项目(4122005 4132022 2132023) 高等学校博士学科点专项科研基金。资助项目(20121103120019) 北京工业大学博士生创新基金资助项目(YB201404) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2015年第40卷第8期

页      码：626-630页

摘      要：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力。为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGaN/GaN HEMT芯片持续施加峰值大小为150 MPa,频率为3 Hz的交变应力。施加应力过程中,每隔一定的应力周期对器件进行电学特性测量,得到了不同应力周期下的输出特性曲线和转移特性曲线。研究分析了随着应力周期的增加输出电流和跨导的变化,研究结果表明,器件的输出电流和跨导随着施加动态应力周期的增加而减小。随着动态应力的加载,器件将产生缺陷,是器件发生退化的原因。

主 题 词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 交变应力 电学特性 kink效应 缺陷 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.08.014

馆 藏 号：203263032...