4H-SiC高压肖特基二极管研制

作     者：王永维 李永平 王勇 吴昊 李玲 WANG Yongwei LI Yongping WANG Yong WU Hao LI Ling

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所河北省石家庄市050051 全球能源互联网研究院北京市昌平区102209 

基　　金：国家863高技术研究发展计划(2014AA052401) 国家电网公司科技项目(5455GB160004)~~ 

出 版 物：《智能电网》 (Smart Grid)

年 卷 期：2017年第5卷第8期

页      码：786-789页

摘      要：采用多重场限环终端实现了一种高压4H-SiC肖特基二极管。基于Medici仿真计算结果,并利用两环简化模型结构,给出了耐压5 800 V终端结构各个场限环之间的优化间距。终端整体仿真结果表明:该优化结构通过将耗尽区边界扩展,很好地抑制了结边缘部分的电场集中效应,击穿时所有场限环的峰值电场基本相同,达到了优化设计的目的。通过流片验证,采用该终端结构设计的4H-SiC肖特基势垒二极管击穿电压大于5 500 V,达到理想值的90%以上,充分验证了该终端设计方法的可行性。

主 题 词：碳化硅 肖特基势垒二极管 多重场限环 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14171/j.2095-5944.sg.2017.08.010

馆 藏 号：203263185...