功率MOSFET的高温特性及其安全工作区分析

作     者：王彩琳 孙丞 WANG Cai-lin;SUN Cheng

作者机构：西安理工大学陕西西安710048 

基　　金：西安理工大学博士启动基金项目 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2008年第42卷第12期

页      码：49-51页

摘      要：简述了功率MOSFET的结构特点及工作原理,从理论上分析了温度对阈值电压、跨导、导通电阻、漏极饱和电流及击穿电压等关键参数的影响。采用ISE软件模拟了不同温度下器件的导通特性和阻断特性,给出了这些参数随温度变化的曲线。最后,分析了温度对功率MOSFET安全工作区的影响,为功率MOSFET的设计和使用提供了参考。

主 题 词：场效应晶体管 高温 特性/安全工作点 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-100X.2008.12.019

馆 藏 号：203263271...