10 Gb/s 0.18μm CMOS时钟恢复芯片

作     者：袁晟 冯军 王骏峰 王志功 

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

基　　金：国家863计划光电子主题项目(编号:2001AA312010) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2003年第26卷第4期

页      码：434-437页

摘      要：介绍了基于0 18μmCMOS工艺的10Gb/s时钟恢复电路的设计。核心电路采用预处理加简单锁相环的结构。模拟结果表明,该电路能工作在10GHz频率上,输入信号峰值0 4V时,同步范围可以达到270MHz,总功耗210mW。

主 题 词：预处理 时钟恢复 CMOS 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2003.04.026

馆 藏 号：203263365...