关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究

作     者：张丽 庄奕琪 李小明 姜法明 ZHANG Li;ZHUANG Yi-qi;LI Xiao-ming;JIANG Fa-ming

作者机构：西安电子科技大学微电子所西安710071 

基　　金：国家863项目(900123093)的资助 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2005年第28卷第1期

页      码：105-109页

摘      要：在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则: 基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响,给出了仿真结果。

主 题 词：二次击穿 双极晶体管 功率晶体管VDMOS 寄生晶体管 MEDICI 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2005.01.026

馆 藏 号：203263365...