基于单轴微拉伸的TSV铜力学性能研究

作     者：李君翊 汪红 王溯 王慧颖 程萍 张振杰 丁桂甫 

作者机构：微米/纳米加工技术国家重点实验室上海200240 上海交通大学微纳科学技术研究院上海200240 上海新阳半导体材料股份有限公司上海201616 

基　　金：科技部重大专项基金资助项目(02专项:2011ZX02702) 国家自然科学基金资助项目(50977056) 

出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)

年 卷 期：2012年第51卷第2期

页      码：184-189,I0004,I0005页

摘      要：电子产品的微型化趋势使芯片的三维集成概念应运而生,并通过硅通孔(TSV-through silicon via)技术得以实现.为了测试TSV中互连铜(Cu-TSV)的力学性能,提出了1个简便、易于操作的单轴微拉伸方法.利用有限元分析优化设计Cu-TSV微拉伸试样的支撑框架结构,有效减小试样在制作及操作过程中的损伤;种子层采用溅射Ti膜取代传统的溅射Cr/Cu膜,减小了电镀过程中的应力,避免了对种子层碱性刻蚀时对试样的腐蚀;采用单轴微拉伸系统对优化设计与制备的Cu-TSV微拉伸试样进行测试.经测试得到的Cu-TSV的杨氏模量与抗拉强度为25.4～32.9GPa和574～764MPa.

主 题 词：硅通孔 互连铜 微拉伸 微观力学性能 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

核心收录：

D　O　I：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2012.02.010

馆 藏 号：203263393...