GaN HEMT器件结构的研究进展

作     者：于宁 王红航 刘飞飞 杜志娟 王岳华 宋会会 朱彦旭 孙捷 YU Ning;WANG Hong-hang;LIU Fei-fei;DU Zhi-juan;WANG Yue-hua;SONG Hui-hui;ZHU Yan-xu;SUN Jie

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术实验室北京100124 电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室广东中山528402 

基　　金：北京市15青年拔尖项目(311000543115501) 中山市科技计划(2014A2FC305) 国家自然科学基金(61204011) 科研基地建设(PXM2015_014204_500008)资助项目 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2015年第36卷第10期

页      码：1178-1187页

摘      要：Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。

主 题 词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 高频 结构设计 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0827[工学-食品科学与工程类] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 1009[医学-法医学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/fgxb20153610.1178

馆 藏 号：203263397...