用于光子计数的InGaAs/InP SPAD设计

作     者：纪应军 石柱 覃文治 代千 冯万鹏 胡俊杰 Ji Yingjun;Shi Zhu;Qin Wenzhi;Dai Qian;Feng Wanpeng;Hu Junjie

作者机构：西南技术物理研究所四川成都610041 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2015年第44卷第3期

页      码：934-940页

摘      要：重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法。分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法。设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验。结果表明:对于准200μm的SPAD,在过偏2 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>20%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)准20 k Hz;对于准50μm的SPAD,在过偏2.5 V、温度-40℃条件下,探测效率(PDE)>23%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)2 k Hz。最后对实验结果进行了分析和讨论。

主 题 词：InGaAs/InP单光子雪崩二极管 雪崩宽度 工作温度 电场分布 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0802[工学-机械学] 0825[工学-环境科学与工程类] 0704[理学-天文学类] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-2276.2015.03.027

馆 藏 号：203263841...