双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管中的应用

作     者：曾中明 韩秀峰 杜关祥 詹文山 王勇 张泽 Zeng Zhong-Ming;HAN Xiu-feng;Du Guan-Xiang;Zhan Wen-Shan;Wang Yong;Zhang Ze

作者机构：中国科学院物理研究所(凝聚态物理国家实验室)磁学国家重点实验室北京100080 中国科学院物理研究所(凝聚态物理国家实验室)先进材料与结构分析电镜实验室北京100080 

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2001CB610601) 中国科学院知识创新工程 国家自然科学基金(批准号:50271081 10274103) 国家杰出青年基金(批准号:50325104)资助的课题. 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2005年第54卷第7期

页      码：3351-3356页

摘      要：利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al_O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为6和3μm大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下对其自旋电子输运特性进行了研究.DBMTJ的隧穿磁电阻(TMR)比值在室温和4.2K分别达到27%和42.3%,结电阻分别为13.6kΩ·μm2和17.5kΩ·μm2,并在实验中观察到平行状态下存在低电阻态及共振隧穿效应,反平行态下呈现高电阻态以及TMR随外加偏压或直流电流的增加而发生振荡现象.由此,设计了一种基于这种双势垒磁性隧道结隧穿特性的自旋晶体管.

主 题 词：磁性隧道结 自旋晶体管 双势垒 磁电阻效应 应用 等离子体氧化 电子输运特性 隧穿磁电阻 磁控溅射 刻蚀技术 加工制备 隧穿效应 振荡现象 直流电流 外加偏压 多层膜 势垒层 紫外光 椭圆形 低电阻 TMR 高电阻 室温 短轴 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.54.3351

馆 藏 号：203265141...