一款VDMOS半超结元胞结构的设计

作     者：刘铭 冯全源 庄圣贤 LIU Ming;FENG Quan-yuan;ZHUANG Sheng-xian

作者机构：西南交通大学微电子研究所四川成都611756 

基　　金：国家自然科学基金项目(61271090) 四川省科技支撑计划项目(2015GZ0103) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2015年第32卷第12期

页      码：49-53页

摘      要：设计了一款VDMOS器件的元胞结构,采用半超结结构模型.传统VDMOS结构的导通电阻会随着击穿电压的增长而增长,而半超结结构可以缓和两者之间的矛盾.通过调节工艺条件,经过三次外延注入生长形成P柱,并采用增大外延层浓度和改善电荷平衡的方式,来达到减小元胞结构的特征导通电阻和提高击穿电压的目的.最终实现了1 005V的耐压,特征导通电阻102.91mΩ*cm2,栅漏电容5.65pF/cm2,阈值电压3.45V的元胞结构,降低了超结结构的工艺难度,并获得较优的性能.

主 题 词：特征导通电阻 栅漏电容 击穿电压 半超结 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2015.12.011

馆 藏 号：203265173...