集成电子薄膜材料研究进展

作     者：李言荣 张万里 刘兴钊 朱俊 闫裔超 LI Yanrong;ZHANG Wanli;LIU Xingzhao;ZHU Jun;YAN Yichao

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50932002) 

出 版 物：《中国材料进展》 (Materials China)

年 卷 期：2013年第32卷第2期

页      码：102-106页

摘      要：首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义。文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。

主 题 词：薄膜技术 电子材料 电子器件 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.7502/j.issn.1674-3962.2013.02.05

馆 藏 号：203265300...