高关断能力压接型IGBT器件研制

作     者：冷国庆 赵哿 金锐 高明超 温家良 潘艳 LENG Guoqing;ZHAO Ge;JIN Rui;GAO Mingchao;WEN Jialiang;PAN Yan

作者机构：全球能源互联网研究院功率半导体研究所北京102209 

基　　金：国家重点研发计划(2016YFB0901802) 北京市优秀人才培养资助基金(2015000102592G284) 

出 版 物：《大功率变流技术》 (HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY)

年 卷 期：2017年第5期

页      码：70-73,88页

摘      要：直流断路器是高压直流输电系统换流站的主要电气设备之一。作为直流断路器中关键部件,压接型IGBT(insulated gate bipolar transistor)的电学性能及可靠性尤为重要。基于直流断路器的特性需求,开发出一款具有高关断能力的3 300 V压接式IGBT芯片。该芯片具有良好的开关特性、短路特性及坚固性,可通过8倍额定电流关断测试,且与自主研制的FRD芯片有良好的匹配性;基于此芯片研制的高关断压接型IGBT模块已通过仿工况关断能力测试。

主 题 词：绝缘栅双极晶体管 压接型IGBT器件 短路安全工作区 结构设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13889/j.issn.2095-3631.2017.05.012

馆 藏 号：203268408...