沟槽栅IGBT结构参数设计与动、静态性能优化（英文）

作     者：Luther Ngwendson 朱春林 Ian Deviny Luther Ngwendson;Chunlin Zhu;Ian Deviny

作者机构：丹尼克斯半导体 新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 

出 版 物：《大功率变流技术》 (HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY)

年 卷 期：2017年第5期

页      码：16-20页

摘      要：近年来,随着沟槽栅软穿通技术的发展,IGBT的性能不断提升。沟槽栅IGBT的动、静态性能与栅结构、载流子存储层、软穿通缓冲层等密切相关。在实际应用中,需根据不同的应用需求如低导通压降、低关断损耗或宽安全工作区性能等,对IGBT的综合性能进行优化设计。本文研究了沟槽栅IGBT的结构设计参数对器件性能的影响,并在此基础上探索了基于低电感应用条件的电动汽车IGBT的参数设计。

主 题 词：绝缘栅双极晶体管 设计参数 沟槽栅 软穿通 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13889/j.issn.2095-3631.2017.05.002

馆 藏 号：203268559...