一种100V分离栅沟槽MOSFET的优化设计

作     者：罗小梦 王立新 杨尊松 王路璐 

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100029 

基　　金：国家重点研发计划项目(2016YFB0901800) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2017年第34卷第10期

页      码：11-15页

摘      要：把多个侧壁阶梯氧化层应用于分离栅沟槽MOSFET(Split-Gate Trench MOSFET,SGT结构),并把改进的结构称为多阶梯侧壁氧化层分离栅沟槽MOSFET(Multi-Step Sidewall Oxides Split-Gate Trench MOSFET,MSO结构),之后介绍了MSO结构的器件结构和制备工艺,重点借助TCAD仿真软件对MSO结构的外延层掺杂浓度、顶部侧氧厚度与底部侧氧厚度进行优化,最终仿真得到击穿电压为126V,特征导通电阻为30.76mΩ·mm^2和特征栅漏电荷为0.351nC·mm^(-2)的MSO结构.在近似相等的击穿电压下,与传统SGT结构相比,MSO结构的特征导通电阻及特征栅漏电荷均有所降低,这两项参数综合反映器件的优值(FOM=Qgd,sp×RonA)降低了39.6%.

主 题 词：分离栅 MSO结构 特征导通电阻 特征栅漏电荷 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2017.10.003

馆 藏 号：203268746...