CCD制作中的PCM测试图形

作     者：张振宇 雷仁方 ZHANG Zhen-yu;LEI Ren-fang

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

基　　金：中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术基金项目(200762501G08) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2008年第29卷第6期

页      码：903-905,931页

摘      要：针对CCD的结构和制作工艺特点,设计出适合CCD的过程控制监控(PCM)测试图形,通过对光刻分辨率、套刻精度、薄膜电容、孔电阻等进行监测,稳定了CCD的工艺水平,提高了CCD的良品率。

主 题 词：电荷耦合器件 过程控制监控 光刻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2008.06.026

馆 藏 号：203271201...