基于非线性内电位构造函数的抗伪状态联想记忆

作     者：严晨 夏旻 王直杰 YAN Chen;XIA Min;WANG Zhi-jie

作者机构：东华大学信息科学与技术学院自动化系上海201620 

出 版 物：《系统仿真学报》 (Journal of System Simulation)

年 卷 期：2009年第21卷第4期

页      码：1040-1042,1046页

摘      要：针对传统Hopfield神经网络在联想记忆中存在的大量伪状态,设计出一种以非线性内电位函数构造为核心的抗伪状态方案,以取代传统的Hebb规则及其外积法,建立了一种抗伪状态的联想记忆网络(ASS-SSNN),并通过吸引域的变化研究抗伪状态方案的正确性和有效性。仿真结果表明:ASS-SSNN比采用传统Hebb规则及其外积法的Hopfield联想记忆网络(HNN)在容错性上更优,记忆状态的吸引域明显增大,存储容量也有所增加。

主 题 词：Hopfield神经网络 联想记忆 伪状态 非线性内电位 

学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 081104[081104] 08[工学] 0802[工学-机械学] 0835[0835] 0825[工学-环境科学与工程类] 0701[理学-数学类] 0811[工学-水利类] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.16182/j.cnki.joss.2009.04.062

馆 藏 号：203271252...