一种高电源抑制比的基准电压源设计

作     者：付秀兰 黄英 向蓓 汤志强 FU Xiu-lan;HUANG Yin;XIANG Bei;TANG Zhi-qiang

作者机构：合肥工业大学应用物理系安徽合肥230009 

出 版 物：《合肥工业大学学报（自然科学版）》 (Journal of Hefei University of Technology：Natural Science)

年 卷 期：2009年第32卷第4期

页      码：564-567页

摘      要：文章采用0．6μmN阱CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比、低噪声的带隙基准电压源。在传统带隙基准电路结构的基础上，采用添加新的电压支路，在环路反馈网络中直接引进噪声的理念，提高了电源抑制比。利用Cadence Spectre工具仿真，结果表明，电路工作电压范围为2．5～5．5V，输出基准电压为1．2V，低频时电源抑制比可达到110dB，在-25～85℃范围内温漂为26×10^-4／℃，在10～1．0×10^5 Hz带宽范围内的RMS电压噪声为43μV，具有高电源抑制比、低输出噪声的特性。

主 题 词：带隙基准电压源 电源抑制比 输出噪声 温度系数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-5060.2009.04.030

馆 藏 号：203271458...