基于深亚微米CMOS工艺改进的电荷放大器的噪声模型

作     者：李翔宇 张琦 孙义和 

作者机构：清华大学微电子学研究所清华信息科学与技术国家实验室北京100084 

出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期：2010年第50卷第11期

页      码：1776-1780,1784页

摘      要：基于深亚微米CMOS工艺对粒子探测器读出电荷灵敏放大器电路的噪声进行了优化,计算了输入管的所有有关的噪声并考虑了非输入管噪声及稳定性影响输入的因素,提出了一种更精确的电路噪声模型,可在现有的EKV模型应用基础上,对MOS管的各个工作区完成解析计算且是连续的,用以优化输入管的尺寸和工作点,给出输入管的栅极电容的优值的匹配条件,方便于分析和设计。在0.18μm CMOS工艺下对模型进行比较实验验证,表明计算精度比用传统方法有较明显优势。

主 题 词：粒子探测器系统 电荷灵敏放大器 深亚微米工艺 噪声优化 EKV模型 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0701[理学-数学类] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.16511/j.cnki.qhdxxb.2010.11.023

馆 藏 号：203272193...