SOIMOSFET二维数值模拟器的设计

作     者：吴东平 黄宜平 竺士炀 

作者机构：复旦大学电子工程系上海200433 

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(69876007) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：1999年第19卷第4期

页      码：377-381页

摘      要：介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用，精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维体电势分布以及载流子浓度分布的三维输出图形。

主 题 词：SOI MOSFET 二维 数值模拟器 设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203272245...