硅基自屏蔽式MEMS带通滤波器

作     者：丁英涛 卢威 严阳阳 DING Ying-tao;LU Wei;YAN Yang-yang

作者机构：北京理工大学信息与电子学院北京100081 

基　　金：北京理工大学基础研究基金资助项目(20130542015) 

出 版 物：《北京理工大学学报》 (Transactions of Beijing Institute of Technology)

年 卷 期：2017年第37卷第9期

页      码：958-963页

摘      要：基于硅基深反应离子刻蚀、表面金属化、热压金-金键合等微机电系统(micro-electro-mechanical-systems,MEMS)加工工艺,并结合耦合系数设计方法,选用终端开路式交指结构,实现了一种应用于C波段的自屏蔽式MEMS带通滤波器.开发了该新型滤波器工艺加工流程,并基于高阻硅衬底成功实现了滤波器的制造和测试.测试结果表明,所制造的滤波器中心频率为3.96GHz,频率误差为2.6%,通带内插入损耗约4dB,驻波比小于1.2,相对带宽为20.7%,器件整体尺寸为7.0mm×7.8mm×0.8mm,器件质量小于0.1g,具有尺寸小、重量轻、性能高、造价低、可批量生产、易于单片集成等显著优点,适应了微波毫米波电路对于滤波器件小型化、轻质化、集成化发展的应用要求.

主 题 词：MEMS滤波器 微机电系统工艺 C波段 小型化 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.15918/j.tbit1001-0645.2017.09.014

馆 藏 号：203273213...