基于改进巨磁电阻芯片的三维地磁传感器设计

作     者：王晓飞 韩焱 李凯 WANG Xiao-fei;HAN Yan;LI Kai

作者机构：中北大学信息探测与处理技术研究所山西太原030051 中北大学电子测试技术国家重点实验室山西太原030051 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61227003) 国家973计划资助项目(2011CB311804) 

出 版 物：《磁性材料及器件》 (Journal of Magnetic Materials and Devices)

年 卷 期：2014年第45卷第4期

页      码：28-30,49页

摘      要：介绍了一种新型三维地磁传感器的结构以及原理,利用巨磁电阻(GMR)传感器实现地磁三分量测量。由于常规GMR传感器的输出特性不满足地磁场的测量,通过外置磁通聚集器和磁偏置技术改进巨磁电阻传感器的输出特性。使用高磁导率材料制作磁通聚集器,由永磁体提供偏置磁场。并用ANSYS对改进后的传感器模型进行数值模拟,ANSYS能快速地确定出偏置场的相关参数。使用无磁转台对三维地磁传感器标定测试,结果表明该传感器能较好地描述地磁信号,具有体积小、功耗低、灵敏度高等优点。

主 题 词：巨磁电阻 地磁传感器 磁偏置 磁通聚集器 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-3830.2014.04.007

馆 藏 号：203273955...