基于增强型氮化镓器件的两级DC/DC变换器设计

作     者：陈雷雨 和军平 俞作良 王士民 CHEN Lei-yu HE Jun-ping YU Zuo-liang WANG Shi-min

作者机构：哈尔滨工业大学深圳研究生院广东深圳518055 深圳市雷能混合集成电路有限公司广东深圳518055 

基　　金：深圳市基础研究计划(JCYJ20160531190745967) 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2017年第51卷第9期

页      码：12-15,19页

摘      要：设计了一台以增强型氮化镓(eGaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)为开关器件的450 W DC/DC模块电源。主功率电路采用同步整流Buck+软开关推挽的两级结构。针对eGaN HEMT应用中的驱动回路寄生电感的影响和驱动印制电路板(PCB)设计改善、开关管死区时间对软开关效果的影响和优化、eGaN HEMT主电路多层PCB布局等关键设计进行了介绍。最后,搭建八层板结构的样机,实测效率可达95%,证明了设计的合理性。

主 题 词：高电子迁移率晶体管 变换器 软开关 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203274564...