元器件快览——Component Update

出 版 物：《今日电子》 (Electronic Products)

年 卷 期：1999年第1期

页      码：53-55页

摘      要：本栏目将不定期地向读者报道国内外优秀、新型的元器件产品信息。除特殊说明外,本栏目中的美元价格均为美国本土价。产品特 性型号 . 价格 联系方法砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)光耦合金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率MOSFET射频双极晶体管一种3W MESFET(金属半导体场效应晶体管)和一种HJFET(异质结场效应晶体管)供L频带和S频带应用,在设计上适于Class—AB工作;在1.9GHz分别提供lOdB和14dB增益;3.8 x *** SMT封装.单极常开光耦合MOSFET以350V峰值和120mA的负载工作;在120mA提供25 Q导通电阻、3750Vrms(均方根值)隔离,并与TTL/CMOS兼容;6脚DIP封装。n沟道和P沟道MOSFET的最高结温为175℃;提供60V额定击穿电压并在4.5V门驱动电压下提供90m Q(n沟道)或280m Q(P沟道)导通电阻;TO-252封装。RF硅双极晶体管以4.2mm。SOT-323封装供应;AT32032型工作在I-5V之间,电流低达lmA;AT4l 532型是个低噪声器件,其特点是工作在2.7V、5V或8V。NE6500379AM...

主 题 词：Component 元器件 邻近传感器 联系方法 半导体场效应晶体管 晶体振荡器 MOSFET 脉冲电容器 铝电解电容器 微调电容器 

学科分类：070208[070208] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

馆 藏 号：203274658...