含乙烷桥键负性液晶的合成及性能

作     者：别国军 邓登 栾允海 辛兴东 刘俞彤 高嫒嫒 杜渭松 BIE Guo-jun DENG Deng LUAN Yun-hai XIN Xin-dong LIU Yu-tong GAO Ai-ai DU Wei-song

作者机构：西安彩晶光电科技股份有限公司陕西西安710065 

基　　金：2014年西安市科技企业小巨人资助项目(No.CX1416) 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2017年第32卷第10期

页      码：794-798页

摘      要：为了满足液晶光学器件快速响应,提高相容性的要求,设计了含有乙烷桥键的负性液晶材料3PEPYO2。合成路线以丙基溴苯、对溴苄溴、2,3-二氟-4-乙氧基苯硼酸等为原料,通过采用格氏反应、Wittig反应和Suzuki等反应制备了3PEPYO2。并通过气相色谱-质谱联用仪、红外、核磁共振对其结构进行了表征。差热分析获知化合物分别于76.77℃进入液晶相。液晶综合参数测试结果表明化合物的Δn值为0.1886,Δε值为-0.798。这些化合物在制备快速响应液晶光学器件中可能会有潜在的应用价值。

主 题 词：乙烷桥键 负性液晶 合成 高折光 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 070303[070303] 0703[理学-化学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/YJYXS20173210.0794

馆 藏 号：203274833...