微剪切应力传感器的加工工艺

作     者：袁明权 雷强 王雄 Yuan Mingquan;Lei Qiang;Wang Xiong

作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621999 西南科技大学信息工程学院四川绵阳621010 中国空气动力研究与发展中心四川绵阳621000 

基　　金：国家自然科学基金项目(61574131) 西南科技大学特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金项目(14ZXTK01) 西南科技大学研究生创新基金项目(16YCX103) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2017年第29卷第10期

页      码：102-106页

摘      要：提出了一种感测单元不直接接触流场的微剪切应力传感器结构,详细阐述了其感测单元MEMS制作工艺。采用热氧化硅掩膜方法解决了硅深刻蚀的选择比问题;优化后的硅深刻蚀工艺参数:刻蚀功率1600W、低频(LF)功率100W,SF6流量360cm3/min,C4F8流量300cm3/min,O2流量300cm3/min。采用Cr/Au掩膜,30℃恒温低浓度HF溶液解决了玻璃浅槽腐蚀深度控制问题;喷淋腐蚀和基片旋转等措施提高了玻璃浅槽腐蚀表面质量。采用上述MEMS工艺制作了微剪切应力传感器样品,样品测试结果表明:弹性悬梁长度和宽度误差均在2μm以内、玻璃浅槽深度误差在0.03μm以内、静态电容误差在0.2pF以内,满足了设计要求。

主 题 词：高超声速飞行器 微剪切应力传感器 硅深刻蚀 喷淋腐蚀 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11884/HPLPB201729.170128

馆 藏 号：203274999...