一种高压摆率低电压CMOS AB类放大器的设计

作     者：胡荣 何尚平 罗小青 HU Rong;HE Shang-ping;LUO Xiao-qing

作者机构：南昌大学科学技术学院南昌330029 

基　　金：江西省教育厅科学技术研究项目(151503 151496) 

出 版 物：《沈阳工业大学学报》 (Journal of Shenyang University of Technology)

年 卷 期：2017年第39卷第6期

页      码：680-685页

摘      要：为了增加单位增益频率与压摆率,并能够工作在低电源电压下,同时降低偏置电流,提出了一种改进的基于0.18μm CMOS工艺的AB类放大器,其采用多级放大器结构,第一级为具有电流镜负载的NMOS差分对,第二反相级由共源放大器实现,第三极为AB类放大器,其能够在±500 m V电源下工作.电路仿真结果显示该放大器相位裕度为87°;总补偿电容为5 p F,与传统放大器相比减少了50%;单位增益频率为21.17 MHz,比传统放大器增大约10倍;压摆率为7.5和8.57 V/μs,与传统电路相比,分别增加了2.8倍和2.6倍.此外,与其他文献相比,该放大器具有较大的单位增益带宽和压摆率以及较小的功耗.

主 题 词：模拟集成电路 CMOS AB类放大器 转换速率 低电压 低功耗 单位增益频率 相位裕度 电阻负载 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.7688/j.issn.1000-1646.2017.06.15

馆 藏 号：203277791...