一种可实现STDP机制的CMOS突触和神经元电路设计

作     者：孙宏伟 陈松 林福江 Sun Hongwei;Chen Song;Lin Fujiang

作者机构：中国科学技术大学信息科学技术学院安徽合肥230026 

出 版 物：《微型机与应用》 (Microcomputer & Its Applications)

年 卷 期：2017年第36卷第18期

页      码：43-45,48页

摘      要：设计了一个高度集成的、高能效的CMOS突触和神经元电路。该突触电路可以实现基于脉冲时间依赖可塑性(Spike Timing Dependent Plasticity,STDP)的学习机制。通过这种机制可以模拟动作脉冲在真实突触中的传导特性并大规模集成为神经形态芯片。该电路采用低功耗的设计方法,晶体管偏置在亚阈值区,由低压电源(0.6 V)供电,采用0.18μm标准CMOS工艺实现。仿真结果表明,突触权值的变化为0.17 V^0.43 V;神经元电路可以真实模拟出神经元放电的多种模式,如RS(Regular Spike)模式、LTS(Low-Threshold Spike)模式、CH(Chattering)模式和IB(Intrinsic Bursting)模式等,电路在产生动作电位时每个脉冲平均仅消耗约0.6 p J的能量。

主 题 词：神经元 突触 神经形态 高效 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19358/j.issn.1674-7720.2017.18.013

馆 藏 号：203278453...