Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管

作     者：陈效建 吴旭 李拂晓 焦刚 

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2004年第25卷第9期

页      码：1137-1142页

摘      要：讨论了采用埋栅结构实现 Ga As基改性高电子迁移率晶体管 (MHEMT)增强型模式工作的有关问题 ,提出了增强型 MHEMT的设计与实现方法 .通过不同金属 (Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究 ,确定在增强型 MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的 Pt Schottky埋栅结构 ;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究 .在此基础上通过实验研制的原理性 1.0 μm× 10 0 μm Pt栅增强型 MHEMT的特性获得了夹断电压为 +0 .12 V,跨导为 4 70 m S/ m m及截止频率为 5 0 GHz的测试结果 ,优于使用同一外延片制作的

主 题 词：MHEMT 增强型 Pt基埋栅势垒 稳定性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2004.09.018

馆 藏 号：203278454...