基于GaN HEMT的Doherty功率放大器设计

作     者：彭菊红 郑丽群 王旭光 杨维明 PENG Juhong;ZHENG Liqun;WANG Xuguang;YANG Weiming

作者机构：湖北大学计算机与信息工程学院湖北武汉430062 

基　　金：国家级大学生创业训练项目资助(201210512087) 国家自然科学基金项目资助(51472079) 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2017年第40卷第22期

页      码：131-133,136页

摘      要：设计一款基于GaN HEMT的S波段Doherty功率放大器(DPA)。主放大器是采用GaN HEMT设计的AB类功放,辅助放大器是GaN HEMT的C类功放。利用ADS对电路进行仿真,单音测试结果表明,DPA工作频率在2.3~2.4 GHz,输入功率为29 dBm时,工作增益不小于14 dB,输出功率大于43 dBm,功率附加效率超过65%。分析了辅助放大器偏置电压对DPA性能的影响,偏置电压变小,DPA的效率和线性度较好。

主 题 词：功率放大器 GaN HEMT Doherty功率放大器 AB类功放 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2017.22.039

馆 藏 号：203278466...