四端硅压力传感器输出电压的解析模型

作     者：陆生礼 柯导明 陈军宁 孟坚 朱德智 LU Sheng-li;KE Dao-ming;CHEN Jun-ning;MENG Jian;Zhu De-zhi

作者机构：东南大学国家ASIC工程中心浙江南京210096 安徽大学电子系安徽合肥230039 

基　　金：国家863计划项目(No.2003AA1Z1400) 安徽省教育厅重点科研项目(No.2003kj0012d) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2005年第33卷第5期

页      码：912-914页

摘      要：　本文用摄动法求解了横向压阻效应四端硅压力传感器输出电压的两维偏微分方程,导出了器件的输出电压与器件尺寸的关系;证明了随应力而变的输出电压最大值在器件横向L/2处,并给出了最大输出电压的解析表达式.这些解析公式得到的计算结果,都和数值解、实验数据相符合,说明了得到的公式具有高的精度.用所给的解析表达式可以很方便地进行器件设计和模拟.

主 题 词：四端硅压力传感器 正则摄动 解析表达式 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.2005.05.030

馆 藏 号：203278792...