扇形分裂漏CMOS磁敏传感器集成电路

作     者：郭清 朱大中 姚韵若 GUO Qing;ZHU Dazhong;YAO Yunruo

作者机构：浙江大学信息学院微电子技术与系统设计研究所杭州310027 

基　　金：国家自然科学基金(NSFC):90307009 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2006年第26卷第1期

页      码：91-95页

摘      要：介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0．6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏蔽磁场的工作模式下对噪声信号进行校正的功能,有效地消除了磁敏传感器及其信号处理电路的噪声影响。在工作频率为10 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2．62 V/T。

主 题 词：互补金属氧化物半导体 磁敏传感器 分裂漏磁敏晶体管 相关二次取样 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2006.01.021

馆 藏 号：203279015...