基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的中功率放大器

作     者：宋家友 王志功 彭艳军 SONG Jiayou;WANG Zhigong;PENG Yanjun

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 郑州大学信息工程学院郑州450052 

基　　金：863课题资助(2006AA03Z418) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2009年第29卷第1期

页      码：46-49页

摘      要：采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点。通过在管子基极和匹配电感中串联电阻实现了全频段稳定。键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作。在VC=3.5V,VB=7V,f=4.1GHz时,小信号增益为17.7dB,输入输出反射系数分别为-16.9dB和-13.9dB,而在输出功率为22.8dBm时,二次和三次谐波分别小于-36dBc和-45dBc。

主 题 词：功率放大器 锗硅 双极性互补金属氧化物半导体 异质结双极型晶体管 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2009.01.011

馆 藏 号：203279015...