基于GaN HEMT宽带高效率功率放大器的设计

作     者：程知群 轩雪飞 刘国华 赵子明 CHENG Zhiqun;XUAN Xuefei;LIU Guohua;ZHAO Ziming

作者机构：杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室浙江杭州310018 

基　　金：浙江省公益技术研究资助项目(2016C31070) 

出 版 物：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 (Journal of Hangzhou Dianzi University：Natural Sciences)

年 卷 期：2017年第37卷第6期

页      码：1-4页

摘      要：设计一款工作于0.8GHz^3.0GHz的宽带功率放大器,有源器件采用Cree公司提供的CGH40010FGaN HEMT晶体管.利用ADS软件对功率管的大信号模型进行负载牵引,进而获得可以实现高效率最佳的负载阻抗和源阻抗,通过使用渐变式阻抗匹配的方法有效地拓展了功率放大器的带宽,并且保持了较高的效率.通过仿真最终对加工出来的实物分别进行小信号与大信号测试,实测结果表明,在0.8GHz^3.0GHz的频率范围内,相对带宽达到116%,小信号S21的实测值为14dB^18dB,大信号输出功率为40.15dBm^42.25dBm,漏极效率为50.0%~66.3%,增益为9.15dB^11.25dB,仿真与实测结果基本一致.

主 题 词：宽带 功率放大器 高效率 GaN HEMT晶体管 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13954/j.cnki.hdu.2017.06.001

馆 藏 号：203279720...