高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源

作     者：张万东 陈宏 王一鹏 于奇 宁宁 王向展 ZHANG Wandong;CHEN Hong;WANG Yipeng;YU Qi;NING Ning;WANG Xiangzhan

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

基　　金：国家教育部博士点基金资助项目(200806141100) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2011年第41卷第1期

页      码：57-60页

摘      要：基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度。采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真。结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×10-7/℃。设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5 V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时-为95.4 dB,在1 kHz时为-92.4 dB。

主 题 词：带隙电压基准源 高阶曲率补偿 高电源抑制比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203279815...