基于0.13μm SOI COMS工艺的VCSEL驱动器设计

作     者：潘彦君 孙向明 黄光明 叶竞波 龚达涛 董业民 杨文伟 杨苹 PAN Yanjun;SUN Xiangming;HUANG Guangming;YE Jingbo;GONG Datao;DONG Yemin;YANG Wenwei;YANG Ping

作者机构：华中师范大学像素实验室湖北武汉430062 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CCNU16A05029) 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2017年第39卷第6期

页      码：920-923页

摘      要：介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺,能提供6~8mA可调调制电流及4~7mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽。测试结果表明,该电路在1.2V单电源工作电压下,最高工作速率可达5Gbit/s,总功耗仅为48mW。

主 题 词：绝缘衬底上的硅(SOI) 激光驱动器 并联峰化 高速 低功耗 

学科分类：1002[医学-临床医学类] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

馆 藏 号：203279912...