高阻高透CN薄膜的性能研究

作     者：沈洪雪 金克武 杨勇 姚婷婷 李刚 马俊 SHEN Hong-xue;JIN Ke-wu;YANG Yong;YAO Ting-ting;LI Gang;MA Jun

作者机构：蚌埠玻璃工业设计研究院安徽蚌埠233018 

基　　金：安徽省重点研究与开发计划项目编号:(1704a0902010) 1704a0902014 

出 版 物：《真空》 (Vacuum)

年 卷 期：2017年第54卷第6期

页      码：33-35页

摘      要：以高纯石墨为靶材,采用射频磁控溅射法在不同工艺条件下制备了一系列高电阻、高透过率的CN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、高阻抗率计、分光光度计对样品的表面形貌、电阻率和透过率进行了表征。结果表明,各种工艺条件下制备的CN薄膜都已初具晶型;薄膜生长状态良好,与基底结合较紧密;所制备的CN薄膜电阻率和透过率均可在一定范围内变化,能较好的满足元器件对薄膜性能的要求。

主 题 词：氮化碳 透过率 晶型 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13385/j.cnki.vacuum.2017.06.08

馆 藏 号：203280514...