功率GaAs MESFET小信号等效电路模型的参数求解

作     者：吴龙胜 刘佑宝 

作者机构：西安微电子技术研究所陕西西安710054 

出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)

年 卷 期：2001年第28卷第4期

页      码：462-466页

摘      要：采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以场效应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热场效应晶体管状态的本征元件值 .该方法具有收敛快 ,精度高和效率高的优点 ,便于移植到微波器件计算机辅助设计和模拟软件中 .

主 题 词：砷化镓 等效电路 金属肖特基势垒场效应晶体管 模型参数 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-2400.2001.04.012

馆 藏 号：203280653...