高频SiC单相逆变器调制策略研究

作     者：杨勇 郭小强 张纯江 YANG Yong;GUO Xiao-qiang;ZHANG Chun-jiang

作者机构：燕山大学河北秦皇岛066004 

基　　金：国家自然科学基金(51477148) 河北省引进留学人员资助项目(CL201622)~~ 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2017年第51卷第12期

页      码：23-25页

摘      要：逆变器高频运行时,开关损耗和死区影响问题更加突出。如何减小高频开关损耗,同时消除死区的影响是逆变器高频运行需要解决的关键问题。以高频SiC单相逆变器为研究对象,针对传统双极性调制存在的问题,设计了一种改进调制策略,利用SiC开关器件反并联二极管的续流特性,在半个工频周期内将2个开关一直处于关闭状态,不仅减小了高频开关损耗,而且避免了桥臂直通的风险,无需加入死区,消除了死区引起的负面影响,最后搭建了高频SiC逆变器进行了实验研究,结果验证了设计方案的有效性。

主 题 词：逆变器 调制策略 高频开关 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

馆 藏 号：203280761...