用于射频领域的高调节范围MEMS压控电容

作     者：梁雪冬 刘泽文 刘理天 李志坚 

作者机构：清华大学微电子所北京100084 

基　　金：国家"九七三"重点基金项目 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2003年第25卷第3期

页      码：252-254页

摘      要：在分析了传统平行极板MEMS压控电容的基础上,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容。与传统的平行极板电容不同的是,它由三对极板构成。其中一对是起电容作用的极板,另外两对是控制极板。交流信号通过电容极板传输,而直流控制电压施加在控制极板上。使用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,得出其调节范围达214%,大大超出了传统的平行极板电容在调节范围上的自然限制(50%)。另外,设计了该电容的工艺流程。其工艺流程较简单,很容易集成在标准的RF电路中。

主 题 词：MEMS压控电容 崩塌效应 控制极板 悬臂梁 牺牲层 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-2474.2003.03.022

馆 藏 号：203280919...