基于GaN HEMT的0.8～4.2GHz超宽带功率放大器的设计

作     者：杨文琪 钟世昌 李宇超 YANG Wenqi;ZHONG Shichang;LI Yuchao

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2017年第37卷第6期

页      码：375-378,383页

摘      要：阐述了基于GaN HEMT的超宽带功率放大器的设计与实现方法。采用低通L-C匹配网络消除虚部阻抗,并利用多节λ/4阻抗变换器实现宽带实阻抗到目标阻抗50Ω的匹配。测试结果表明,功放在32V漏电压、1ms周期、10%占空比及0.8~4.2 GHz频带内输出功率大于47dBm(50.1 W),最高输出功率为48.9dBm(77.6 W),带内饱和功率增益大于9dB,最大漏极效率为64%。实验测试结果与设计仿真结果符合良好,从而验证了设计方法的正确性。

主 题 词：超宽带功率放大器 GaN高电子迁移率晶体管 内匹配 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.06.001

馆 藏 号：203280931...