中国首条8英寸硅基氮化镓生产线投产

出 版 物：《新材料产业》 (Advanced Materials Industry)

年 卷 期：2017年第12期

页      码：72-72页

摘      要：11月9日，英诺赛科（珠海）科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海正式通线投产。英诺赛科（珠海）科技有限公司拥有世界领先的8英寸硅基氮化镓外延技术，突破了低翘曲度、低缺陷及位错密度、低漏电晶圆制造的全球性挑战，将碎片率大幅降至l％以下领先水平。经过2年的努力，该公司已建成中国首条完整8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，主要产品包括100～650V氮化镓功率器件，设计及性能均达到国际最先进水平，将广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车、信息与通信和智能工业等领域。

主 题 词：氮化镓 生产线 硅基 中国 投产 自主研发 外延技术 位错密度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203281564...