子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响

作     者：苏娟 谭为 高博 SU Juan;TAN Wei;GAO Bo

作者机构：中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心四川成都610299 四川大学物理科学与技术学院四川成都610065 

基　　金：科学挑战专题资助项目(TZ2017003) 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心专项资助项目(MT2015-11-08) 中国工程物理研究院-四川大学协同创新联合基金资助项目(CX2014005) 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2017年第15卷第5期

页      码：855-860页

摘      要：利用Silvaco软件对Al_(0.2)Ga_(0.8)N/GaN共振隧穿二极管(RTD)进行仿真,重点研究了InGaN子量子阱结构及相应非对称势垒结构设计对其电流特性的影响。对比分析了子量子阱结构中InGaN的In组分和子阱厚度对RTD微分负阻(NDR)特性的影响,得出了提升器件性能的最佳参数范围。为了克服Al_(0.2)Ga_(0.8)N/GaN RTD势垒低对器件电流峰谷比(PVCR)的影响,在子量子阱结构的基础上引入了非对称势垒结构设计,通过改变收集区侧势垒的高度和厚度,将AlGaN/GaN的I_p和PVCR由基本结构的0.42 A和1.25,提高到了0.583 A和5.01,实现了器件性能的优化,并为今后的器件研制提供了设计思路。

主 题 词：共振隧穿二极管 AlGaN/GaN异质结 InGaN子阱 非对称势垒 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.11805/TKYDA201705.0855

馆 藏 号：203281881...