三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计

作     者：朱帅宇 谢生 陈宇 ZHU Shuai-yu1 , XIE Sheng1 , CHEN Yu2

作者机构：天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津300072 中国科学院半导体研究所北京100084 

基　　金：国家自然科学基金(No.11673019) 广西精密导航技术与应用重点实验室基金项目(No.DH201710)资助~~ 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2018年第47卷第4期

页      码：75-81页

摘      要：设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台面器件在边缘间距为8μm时有最优器件尺寸和较低边缘电场.采用掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3)、厚度为0.2μm的电荷层和掺杂浓度为2×10^(15)cm^(-3)、厚度为0.4μm的倍增层,成功将高电场限制在中心区域,使得反偏电压40V时的边缘电场降低至2.6×105V/cm,仅为中心电场的1/2,增强了器件的抗击穿能力.此外,本文设计的器件在0.9 V_(br)时的暗电流降低至9.25pA,仅为传统两级台面器件的1/3.

主 题 词：铟镓砷 三级台面 雪崩光电二极管 暗电流 边缘电场 贯穿电压 击穿电压 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/gzxb20184704.0423002

馆 藏 号：203282284...