载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响

作     者：杨杰 朱邵歆 闫建昌 李晋闽 王军喜 YANG Jie;ZHU Shao-xin;YAN Jian-chang;LI Jin-min;WANG Jun-xi

作者机构：中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083 中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所北京100846 

基　　金：北京市科学技术委员会(Z161100002116037)资助项目~~ 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2018年第39卷第2期

页      码：202-207页

摘      要：通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED可提高辐射复合的权重,使得调制带宽高于GaN量子垒LED;In组分为5%时,电子泄露和俄歇复合占据主导地位,且由于这两种复合机制复合速率很快,所以调制带宽显著提高。

主 题 词：发光二极管(LED) 可见光通信 调制带宽 载流子寿命 复合机制 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0827[工学-食品科学与工程类] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 1009[医学-法医学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/fgxb20183902.0202

馆 藏 号：203282342...