一种高摆率低功耗无片外电容的LDO设计
作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203
出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)
年 卷 期：2018年第57卷第1期
页 码：79-84页
摘 要：本文介绍了一种低功耗的无片外电容快速响应的低压差线性稳压器(LDO),用于数字电路供电.该LDO采用电流型跨导运算放大器,克服了传统运算放大器摆率和静态电流之间的矛盾.提出了一种瞬态增强电路,既可以动态地调整误差放大器偏置,同时也能够直接对调整管栅极电压进行调节,增强了负载瞬态响应性能.该LDO基于28nm CMOS工艺,面积为55×42μm2.输入1.1V,压差约为100mV,最大负载电流50mA.静态电流为5μA,在负载电流变化率为49.9mA/μs的情况下,恢复时间为2.5μs,过冲电压和下冲电压均小于100mV.
主 题 词：低压差线性稳压器 无片外电容 高摆率 瞬态增强 低功耗
学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学]
核心收录：
D O I：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2018.01.010
馆 藏 号：203282593...
