超宽带延时幅相控制多功能芯片的设计

作     者：陈月盈 朱思成 赵子润 CHEN Yue-ying;ZHU Si-cheng;ZHAO Zi-run

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所 

基　　金：国家自然科学基金(60671057) 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2018年第34卷第1期

页      码：84-88页

摘      要：针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器（10 ps步进TTD）、5位数控衰减器（1 d B步进ATT）、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm×5.0 mm×0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3~17 GHz频段内实现了10~310 ps延时范围,1~31 d B衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 d B,发射1 d B压缩输出功率P1 d B_Tx大于12 d Bm,接收1 d B压缩输出功率P1 d B_Rx大于10 d Bm,全态输入输出驻波均小于1.7,＋5 V下工作电流130 m A,-5 V下工作电流12 m A。衰减器全态RMS精度小于1.4 d B,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1d B。

主 题 词：超宽带 砷化镓单片集成电路 多功能芯片 实时延时器 数控衰减器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.14183/j.cnki.1005-6122.201801018

馆 藏 号：203282617...