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光刻曝光系统中新型光可变衰减器的研制

光刻曝光系统中新型光可变衰减器的研制

作     者:李美萱 王丽 董连和 Li Meixuan;Wang Li;Dong Lianhe

作者机构:长春理工大学光电工程学院吉林长春130022 长春理工大学光电信息学院吉林长春130022 

基  金:国家自然科学基金青年基金(61308051) 国家自然科学基金面上项目(91338116) 

出 版 物:《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期:2018年第45卷第1期

页      码:129-134页

摘      要:在超大规模集成电路中,为满足数值孔径为1.35、波长为193nm的光刻曝光系统45nm的成像分辨率要求,设计了一种新型光可变衰减器,用于控制系统的光能透射率,调整曝光能量。该衰减器在光入射角为20°~40°时,衰减面的平均透射率呈线性变化并从95%降低至8%,同时保证其余三个表面的光能损失均低于1%。设计和制作了光可变衰减器的光学薄膜,其基底材料选择熔融石英,膜层材料采用LaF_3和AlF_3。实验测试了光可变衰减器系统性能,测试结果显示该系统的光能透射率在8%~90%范围内连续可调,实验结果满足设计要求。与传统光可变衰减器相比,该系统可调制衰减范围更大,衰减量更稳定,具有一定的应用价值。

主 题 词:薄膜 深紫外光刻 光可变衰减器 截止滤光膜 光学镀膜 

学科分类:0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

D O I:10.3788/CJL201845.0103002

馆 藏 号:203282720...

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