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Memory及其controller芯片I/O测试(上篇)

Memory及其controller芯片I/O测试(上篇)

作     者:马卓凡 

作者机构:是德科技 

出 版 物:《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期:2018年第27卷第1期

页      码:75-82页

摘      要:1 DDR总线的设计、调试和验证在计算机架构中,DDR作为程序运算的动态存储器,面对如高性能计算、图形计算、移动计算、工业应用等领域的要求,发展出DDR4,以及用于图形计算的GDDR5,HBM2,面向移动计算的低功耗LPDDR4等标准。处理器的运算速度越来越快,DDR的性能也要求越来越高,明显的趋势是DDR总线工作频率持续提升,DDR4达到3.2 GT/s.

主 题 词:I/O Memory controller 眼图测试 逻辑分析仪 仿真软件 读操作 信号速率 时序特性 电源完整性 

学科分类:08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号:203282732...

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