55 nm低功耗产品漏电流优化的机理研究及解决方案

作     者：吴智勇 WU Zhiyong

作者机构：上海华力微电子有限公司上海201203 

基　　金：上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204) 

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2018年第35卷第2期

页      码：49-51页

摘      要：半导体技术随着摩尔定律,工艺尺寸逐渐缩小,浅沟槽形貌对增加低功耗产品器件间的隔离效果,降低漏电流的作用越来越敏感^([1])。提出一种全新的优化浅沟槽形貌,降低器件间漏电流的设计理念^([2])及实现方法。通过软件设计并模拟不同浅沟槽形貌下,漏电流的表现,得到顶部形貌的曲率半径对漏电流有敏感表现的结论,为降低漏电流提供指导性思想^([3])。后续把理论模型运用到实际工艺的优化中,菜单中在硬掩模层刻蚀步骤结束及有源区开始刻蚀前,使用高能量、高压力及大流量的重聚合物气体,形成圆滑的顶部形貌。

主 题 词：集成电路制造 浅沟槽刻蚀 硬掩膜 工作区 漏电流 polymer 聚合物 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.02.011

馆 藏 号：203282965...